FDB6021P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDB6021P
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
Especificaciones:	FDB6021P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6152 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6152 pcs

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Especificaciones de FDB6021P

Número de pieza	FDB6021P	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6152 pcs	Ficha de datos	FDB6021P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263AB
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	30 mOhm @ 14A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	37W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1890pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	28nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	P-Channel 20V 28A (Ta) 37W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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