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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FDB14AN06LA0-F085 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 45106 pcs | Ficha de datos | FDB14AN06LA0-F085.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-263AB |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | RDS (Max) @Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 67A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 125W (Tc) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Otros nombres | FDB14AN06LA0-F085CT FDB14AN06LA0_F085CT FDB14AN06LA0_F085CT-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 31nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AB | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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