FD6M016N03

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FD6M016N03
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15
Especificaciones:	FD6M016N03.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3550 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3550 pcs

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Especificaciones de FD6M016N03

Número de pieza	FD6M016N03	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3550 pcs	Ficha de datos	FD6M016N03.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	EPM15
Serie	Power-SPM™	RDS (Max) @Id, Vgs	1.6 mOhm @ 40A, 10V
Potencia - Max	-	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	EPM15	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11535pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	295nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Standard	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 80A Through Hole EPM15	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	80A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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