FCPF7N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCPF7N60
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Especificaciones:	FCPF7N60.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	35810 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35810 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.966

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Especificaciones de FCPF7N60

Número de pieza	FCPF7N60	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 7A TO220F	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	35810 pcs	Ficha de datos	FCPF7N60.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220F
Serie	SuperFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	600 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	31W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	FCPF7N60_NL FCPF7N60_NL-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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