FCMT199N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCMT199N60
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Especificaciones:	FCMT199N60.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	47524 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 47524 pcs

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Especificaciones de FCMT199N60

Número de pieza	FCMT199N60	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	47524 pcs	Ficha de datos	FCMT199N60.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	Power88
Serie	SuperFET® II	RDS (Max) @Id, Vgs	199 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	208W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	4-PowerTSFN	Otros nombres	FCMT199N60TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2950pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	74nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount Power88	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20.2A (Tc)

Modo de transporte
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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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