BVSS138LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	BVSS138LT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
Especificaciones:	BVSS138LT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	224651 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 224651 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.151

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Especificaciones de BVSS138LT1G

Número de pieza	BVSS138LT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	224651 pcs	Ficha de datos	BVSS138LT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3.5 Ohm @ 200mA, 5V
La disipación de energía (máximo)	225mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	BVSS138LT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	50V	Descripción detallada	N-Channel 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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