BUV21G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	BUV21G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS NPN 200V 40A TO-3
Especificaciones:	BUV21G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	7597 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7597 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $3.797

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Especificaciones de BUV21G

Número de pieza	BUV21G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS NPN 200V 40A TO-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	7597 pcs	Ficha de datos	BUV21G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	200V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 3A, 25A
Tipo de transistor	NPN	Paquete del dispositivo	TO-3
Serie	SWITCHMODE™	Potencia - Max	250W
embalaje	Tray	Paquete / Cubierta	TO-204AE
Otros nombres	BUV21G-ND BUV21GOS-NDOS BUV21GOSOS	Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	8MHz
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 12A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)	3mA	Corriente - colector (Ic) (Max)	40A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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