BFL4001

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	BFL4001
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI
Especificaciones:	BFL4001.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3221 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3221 pcs

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Especificaciones de BFL4001

Número de pieza	BFL4001	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3221 pcs	Ficha de datos	BFL4001.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220FI(LS)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2.7 Ohm @ 3.25A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2W (Ta), 37W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	44nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	900V	Descripción detallada	N-Channel 900V 4.1A (Ta) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220FI(LS)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.1A (Ta)

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