ATP201-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	ATP201-TL-H
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
Especificaciones:	ATP201-TL-H.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3457 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3457 pcs

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Especificaciones de ATP201-TL-H

Número de pieza	ATP201-TL-H	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3457 pcs	Ficha de datos	ATP201-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	ATPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	17 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)	30W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	ATPAK (2 leads+tab)	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	985pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	17nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 35A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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