2N7002KT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	2N7002KT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
Especificaciones:	2N7002KT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	370558 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 370558 pcs

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Especificaciones de 2N7002KT1G

Número de pieza	2N7002KT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	370558 pcs	Ficha de datos	2N7002KT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	350mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	2N7002KT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	24.5pF @ 20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 320mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	320mA (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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