2N6667

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	2N6667
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
Especificaciones:	2N6667.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	3521 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3521 pcs

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Especificaciones de 2N6667

Número de pieza	2N6667	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	3521 pcs	Ficha de datos	2N6667.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	60V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	3V @ 100mA, 10A
Tipo de transistor	PNP - Darlington	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	-	Potencia - Max	2W
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	TO-220-3
Otros nombres	2N6667OS	Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Frecuencia - Transición	-
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 10A 2W Through Hole TO-220AB	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 5A, 3V
Corriente - corte del colector (Max)	1mA	Corriente - colector (Ic) (Max)	10A
Número de pieza base	2N6667

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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