2N5639RLRAG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	2N5639RLRAG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	JFET N-CH 35V 0.31W TO92
Especificaciones:	2N5639RLRAG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4083 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4083 pcs

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Especificaciones de 2N5639RLRAG

Número de pieza	2N5639RLRAG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	JFET N-CH 35V 0.31W TO92	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4083 pcs	Ficha de datos	2N5639RLRAG.pdf
Tensión - Breakdown (V (BR) GSS)	35V	Paquete del dispositivo	TO-92-3
Serie	-	Resistencia - RDS (on)	60 Ohms
Potencia - Max	310mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10pF @ 12V (VGS)
Tipo FET	N-Channel	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	JFET N-Channel 35V 310mW Through Hole TO-92-3	Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0)	25mA @ 20V
Número de pieza base	2N5639

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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