| Número de pieza | 2N5551TA | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 2099043 pcs | Ficha de datos | 2N5551TA.pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 160V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Tipo de transistor | NPN | Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
| Serie | - | Potencia - Max | 625mW |
| embalaje | Tape & Box (TB) | Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres | 2N5551TA-ND 2N5551TAFSTB 2N5551TATB 2N5551TATB-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frecuencia - Transición | 100MHz |
| Descripción detallada | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3 | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 50nA (ICBO) | Corriente - colector (Ic) (Max) | 600mA |
| Número de pieza base | 2N5551 |
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|---|---|---|
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