1N5401

ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	1N5401
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Especificaciones:	1N5401.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	5137 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5137 pcs

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Especificaciones de 1N5401

Número de pieza	1N5401	Fabricante	ON Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	5137 pcs	Ficha de datos	1N5401.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	3A
Tensión - Desglose	Axial	Serie	-
Estado RoHS	Bulk	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	DO-201AA, DO-27, Axial
Otros nombres	1N5401OS	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	1N5401
Descripción ampliada	Diode Standard 100V 3A Through Hole Axial	configuración de diodo	10µA @ 100V
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL	Corriente - Fuga inversa a Vr	1V @ 3A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	100V	Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 170°C

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