SI7326DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI7326DN-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Vishay / Siliconix
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Especificaciones:	SI7326DN-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	295433 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 295433 pcs

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Especificaciones de SI7326DN-T1-GE3

Número de pieza	SI7326DN-T1-GE3	Fabricante	Vishay Siliconix
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	295433 pcs	Ficha de datos	SI7326DN-T1-GE3.pdf
Voltaje - Prueba	-	Tensión - Desglose	PowerPAK® 1212-8
VGS (th) (Max) @Id	19.5 mOhm @ 10A, 10V	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®	Estado RoHS	Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs	6.5A (Ta)	Polarización	PowerPAK® 1212-8
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	SI7326DN-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13nC @ 5V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.8V @ 250µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30V	relación de capacidades	1.5W (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
UPS	www.UPS.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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