STPSC1006G-TR

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STPSC1006G-TR
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Especificaciones:	STPSC1006G-TR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5081 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5081 pcs

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Especificaciones de STPSC1006G-TR

Número de pieza	STPSC1006G-TR	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	DIODE SILICON 600V 10A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5081 pcs	Ficha de datos	STPSC1006G-TR.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Silicon Carbide Schottky	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	10A
Tensión - Desglose	D²PAK	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	Tiempo de recuperación inversa (trr)	No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistencia @ Si, F	650pF @ 0V, 1MHz	Polarización	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres	497-11209-2 STPSC1006GTR	Temperatura de funcionamiento - Junction	0ns
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	STPSC1006G-TR	Descripción ampliada	Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Surface Mount D²PAK
configuración de diodo	150µA @ 600V	Descripción	DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr	1.7V @ 10A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	600V
Capacitancia Vr, F	-40°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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