Número de pieza | SSM6L35FE,LM | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descripción | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 680566 pcs | Ficha de datos | 1.SSM6L35FE,LM.pdf2.SSM6L35FE,LM.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Paquete del dispositivo | ES6 (1.6x1.6) |
Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
Potencia - Max | 150mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 | Otros nombres | SSM6L35FE(TE85LF)TR SSM6L35FE(TE85LF)TR-ND SSM6L35FE,LM(B SSM6L35FE,LM(T SSM6L35FELM(TTR SSM6L35FELM(TTR-ND SSM6L35FELMTR SSM6L35FETE85LF |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 3V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - |
Tipo FET | N and P-Channel | Característica de FET | Logic Level Gate |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 180mA, 100mA | Número de pieza base | SSM6L35 |
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