SSM6L35FU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6L35FU(TE85L,F)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Especificaciones:	SSM6L35FU(TE85L,F).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	170214 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 170214 pcs

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Especificaciones de SSM6L35FU(TE85L,F)

Número de pieza	SSM6L35FU(TE85L,F)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	170214 pcs	Ficha de datos	SSM6L35FU(TE85L,F).pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Paquete del dispositivo	US6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3 Ohm @ 50mA, 4V
Potencia - Max	200mW	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Otros nombres	SSM6L35FU(TE85LF)CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 3V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Tipo FET	N and P-Channel	Característica de FET	Logic Level Gate, 1.2V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	180mA, 100mA

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Especificaciones

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