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RN2713JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Descripción del producto

Número de pieza: RN2713JE(TE85L,F)
Fabricante / Marca: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Hojas de datos: RN2713JE(TE85L,F).pdf
Estado de RoHs Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 1095510 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 1095510 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
4000 pcs
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Especificaciones de RN2713JE(TE85L,F)

Número de pieza RN2713JE(TE85L,F) Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1095510 pcs Ficha de datos RN2713JE(TE85L,F).pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Paquete del dispositivo ESV
Serie - Resistor - Base del emisor (R2) -
Resistor - Base (R1) 47 kOhms Potencia - Max 100mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta SOT-553
Otros nombres RN2713JE(TE85LF)TR Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 200MHz Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Corriente - corte del colector (Max) 100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

Envío

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