CMG06(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	CMG06(TE12L,Q,M)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Especificaciones:	CMG06(TE12L,Q,M).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	889353 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 889353 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de CMG06(TE12L,Q,M)

Número de pieza	CMG06(TE12L,Q,M)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	889353 pcs	Ficha de datos	CMG06(TE12L,Q,M).pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.1V @ 1A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	600V
Paquete del dispositivo	M-FLAT (2.4x3.8)	Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	Paquete / Cubierta	SOD-128
Otros nombres	CMG06(TE12LQM)	Temperatura de funcionamiento - Junction	-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Standard	Descripción detallada	Diode Standard 600V 1A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)
Corriente - Fuga inversa a Vr	10µA @ 600V	Corriente - rectificada media (Io)	1A
Capacitancia Vr, F	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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