HTNFET-D

Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

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Descripción del producto

Número de pieza:	HTNFET-D
Fabricante / Marca:	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Descripción del producto	MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Especificaciones:	HTNFET-D.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	204 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 204 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $158.13

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Especificaciones de HTNFET-D

Número de pieza	HTNFET-D	Fabricante	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Descripción	MOSFET N-CH 55V 8-DIP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	204 pcs	Ficha de datos	HTNFET-D.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.4V @ 100µA	Vgs (Max)	10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-CDIP-EP
Serie	HTMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	400 mOhm @ 100mA, 5V
La disipación de energía (máximo)	50W (Tj)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	8-CDIP Exposed Pad	Otros nombres	342-1078
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 225°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 28V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4.3nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	55V
Descripción detallada	N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 8-CDIP-EP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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