SI4310BDY-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI4310BDY-T1-E3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Especificaciones:	SI4310BDY-T1-E3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5582 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5582 pcs

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Especificaciones de SI4310BDY-T1-E3

Número de pieza	SI4310BDY-T1-E3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5582 pcs	Ficha de datos	SI4310BDY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	14-SOIC
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	11 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max	1.14W, 1.47W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2370pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	18nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A, 9.8A 1.14W, 1.47W Surface Mount 14-SOIC	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7.5A, 9.8A

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