NE3512S02-A

CEL (California Eastern Laboratories)

La imagen puede ser representación. Ver especificaciones para detalles del producto.

Descripción del producto

Número de pieza:	NE3512S02-A
Fabricante / Marca:	CEL (California Eastern Laboratories)
Descripción del producto	HJ-FET NCH 13.5DB S02
Especificaciones:	1.NE3512S02-A.pdf 2.NE3512S02-A.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2800 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2800 pcs

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Especificaciones de NE3512S02-A

Número de pieza	NE3512S02-A	Fabricante	CEL (California Eastern Laboratories)
Descripción	HJ-FET NCH 13.5DB S02	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2800 pcs	Ficha de datos	1.NE3512S02-A.pdf 2.NE3512S02-A.pdf
Voltaje - Prueba	2V	Tensión - Calificación	4V
Tipo de transistor	HFET	Paquete del dispositivo	S02
Serie	-	Alimentación - Salida	-
embalaje	Bulk	Paquete / Cubierta	4-SMD, Flat Leads
Otros nombres	NE3512S02A	Figura de ruido	0.35dB
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Ganancia	13.5dB	Frecuencia	12GHz
Descripción detallada	RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02	Valoración actual	70mA
Corriente - Prueba	10mA	Número de pieza base	NE3512

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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