TK28N65W,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK28N65W,S1F
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Especificaciones:	TK28N65W,S1F.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	12530 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12530 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $2.308

30 pcs: $1.854

120 pcs: $1.689

510 pcs: $1.368

1020 pcs: $1.154

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Especificaciones de TK28N65W,S1F

Número de pieza	TK28N65W,S1F	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	12530 pcs	Ficha de datos	TK28N65W,S1F.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 1.6mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	DTMOSIV	RDS (Max) @Id, Vgs	110 mOhm @ 13.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)	230W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	TK28N65W,S1F(S TK28N65WS1F
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	75nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 27.6A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	27.6A (Ta)

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Después de las ventas
Especificaciones

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