TK16E60W,S1VX

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK16E60W,S1VX
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
Especificaciones:	TK16E60W,S1VX.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	20649 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 20649 pcs

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Especificaciones de TK16E60W,S1VX

Número de pieza	TK16E60W,S1VX	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	20649 pcs	Ficha de datos	TK16E60W,S1VX.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.7V @ 790µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220
Serie	DTMOSIV	RDS (Max) @Id, Vgs	190 mOhm @ 7.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	130W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	TK16E60W,S1VX(S TK16E60WS1VX
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 300V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	38nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	15.8A (Ta)

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