Número de pieza | TK14N65W,S1F | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descripción | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 30496 pcs | Ficha de datos | TK14N65W,S1F.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 690µA | Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-247 |
Serie | DTMOSIV | RDS (Max) @Id, Vgs | 250 mOhm @ 6.9A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 130W (Tc) | embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-247-3 | Otros nombres | TK14N65W,S1F(S TK14N65W,S1F-ND TK14N65WS1F |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 300V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
Descripción detallada | N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 13.7A (Ta) |
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