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RN1961(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Descripción del producto

Número de pieza: RN1961(TE85L,F)
Fabricante / Marca: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Especificaciones: RN1961(TE85L,F).pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 163254 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 163254 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
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Especificaciones de RN1961(TE85L,F)

Número de pieza RN1961(TE85L,F) Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 163254 pcs Ficha de datos RN1961(TE85L,F).pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Paquete del dispositivo US6
Serie - Resistor - Base del emisor (R2) 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms Potencia - Max 200mW
embalaje Cut Tape (CT) Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres RN1961(TE85LF)CT Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 250MHz Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Corriente - corte del colector (Max) 100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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