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FDD3670

Fairchild/ON SemiconductorFairchild/ON Semiconductor
FDD3670 Image
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Descripción del producto

Número de pieza: FDD3670
Fabricante / Marca: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Hojas de datos: FDD3670.pdf
Estado de RoHs Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 39135 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 39135 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
1 pcs
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10 pcs
$0.702
100 pcs
$0.565
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Especificaciones de FDD3670

Número de pieza FDD3670 Fabricante Fairchild/ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 39135 pcs Ficha de datos FDD3670.pdf
Voltaje - Prueba 2490pF @ 50V Tensión - Desglose TO-252
VGS (th) (Max) @Id 32 mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (Max) 6V, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Serie PowerTrench®
Estado RoHS Digi-Reel® RDS (Max) @Id, Vgs 34A (Ta)
Polarización TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Otros nombres FDD3670DKR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited) Número de pieza del fabricante FDD3670
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 80nC @ 10V Tipo de IGBT ±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4V @ 250µA Característica de FET N-Channel
Descripción ampliada N-Channel 100V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252 Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las -
Descripción MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100V
relación de capacidades 3.8W (Ta), 83W (Tc)

Envío

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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