SIZ328DT-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIZ328DT-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
Especificaciones:	SIZ328DT-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	73333 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 73333 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de SIZ328DT-T1-GE3

Número de pieza	SIZ328DT-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	73333 pcs	Ficha de datos	SIZ328DT-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-Power33 (3x3)
Serie	TrenchFET® Gen IV	RDS (Max) @Id, Vgs	15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max	2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	SIZ328DT-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 10V, 600pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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