SIHG33N65EF-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIHG33N65EF-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC
Especificaciones:	SIHG33N65EF-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	12396 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12396 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $2.81

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Especificaciones de SIHG33N65EF-GE3

Número de pieza	SIHG33N65EF-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	12396 pcs	Ficha de datos	SIHG33N65EF-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247AC
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	109 mOhm @ 16.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	313W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4026pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	171nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V	Descripción detallada	N-Channel 650V 31.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	31.6A (Tc)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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