Elija su país o región.

Close
Iniciar sesión Regístrese Email:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

SI4487DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Electro-Films (EFI) / Vishay
La imagen puede ser representación. Ver especificaciones para detalles del producto.

Descripción del producto

Número de pieza: SI4487DY-T1-GE3
Fabricante / Marca: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
Especificaciones: SI4487DY-T1-GE3.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 89460 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 89460 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
1 pcs
$0.334
10 pcs
$0.291
100 pcs
$0.225
500 pcs
$0.166
Petición de oferta en línea
Complete todos los campos obligatorios con su información de contacto. Haga clic en " SUBMIT RFQ ". Nos pondremos en contacto con usted por correo electrónico. O envíenos un correo electrónico:Info@infinity-electronic.com
  • Precio objetivo:
  • Cantidad:
Total:$0.334

Indíquenos su precio objetivo si hay cantidades superiores a las que se muestran.

  • Número de pieza
  • Nombre de la empresa
  • Nombre de contacto
  • Email
  • Mensajes

Especificaciones de SI4487DY-T1-GE3

Número de pieza SI4487DY-T1-GE3 Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 89460 pcs Ficha de datos SI4487DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo 8-SO
Serie TrenchFET® RDS (Max) @Id, Vgs 20.5 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 5W (Tc) embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Otros nombres SI4487DY-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 15V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 36nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada P-Channel 30V 11.6A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 11.6A (Tc)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL www.DHL.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
UPS www.UPS.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
TNT www.TNT.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

★ El tiempo de entrega será de 2 a 4 días en la mayor parte del país en todo el mundo por DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Por favor, no dude en contactarnos si tiene alguna pregunta sobre el envío. Envíenos un correo electrónico Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

GARANTÍA POST-VENTA

  1. A cada producto de Infinity-Semiconductor.com se le ha otorgado un período de garantía de 1 AÑO. Durante este período, podríamos proporcionar mantenimiento técnico gratuito si hay algún problema con nuestros productos.
  2. Si encuentra problemas de calidad en nuestros productos después de recibirlos, puede probarlos y solicitar un reembolso incondicional si se puede probar.
  3. Si los productos son defectuosos o no funcionan, puede devolvernos dentro de 1 AÑO, todos los gastos de transporte y de aduana de los productos correrán a cargo de nosotros.

Tags relacionados

Productos relacionados

SI4486EY-T1-E3
SI4486EY-T1-E3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
Existencias disponibles: 5121 pcs
Descargar: SI4486EY-T1-E3.pdf
RFQ
SI4483EDY-T1-GE3
SI4483EDY-T1-GE3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
Existencias disponibles: 5322 pcs
Descargar: SI4483EDY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4491EDY-T1-GE3
SI4491EDY-T1-GE3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO
Existencias disponibles: 235736 pcs
Descargar: SI4491EDY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4488DY-T1-E3
SI4488DY-T1-E3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
Existencias disponibles: 49191 pcs
Descargar: SI4488DY-T1-E3.pdf
RFQ
SI4484EY-T1-GE3
SI4484EY-T1-GE3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
Existencias disponibles: 5910 pcs
Descargar: SI4484EY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4484EY-T1-E3
SI4484EY-T1-E3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
Existencias disponibles: 6390 pcs
Descargar: SI4484EY-T1-E3.pdf
RFQ
SI4493DY-T1-E3
SI4493DY-T1-E3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Existencias disponibles: 5770 pcs
Descargar: SI4493DY-T1-E3.pdf
RFQ
SI4490DY-T1-E3
SI4490DY-T1-E3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
Existencias disponibles: 43185 pcs
Descargar: SI4490DY-T1-E3.pdf
RFQ
SI4485DY-T1-GE3
SI4485DY-T1-GE3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
Existencias disponibles: 378478 pcs
Descargar: SI4485DY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4486EY-T1-GE3
SI4486EY-T1-GE3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
Existencias disponibles: 3110 pcs
Descargar: SI4486EY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4490DY-T1-GE3
SI4490DY-T1-GE3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
Existencias disponibles: 99707 pcs
Descargar: SI4490DY-T1-GE3.pdf
RFQ
SI4488DY-T1-GE3
SI4488DY-T1-GE3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
Existencias disponibles: 113598 pcs
Descargar: SI4488DY-T1-GE3.pdf
RFQ

Noticias de la Industria

Rohm agrega 10 mosfets automotrices de SiC
"La introducción de la serie SCT3xxxxxHR permite a Rohm ofrecer la línea más grande de mosfets de...
ON se agrega a los MOSFET de SiC
ON Semiconductor ha introducido dos MOSFET de SiC destinados a aplicaciones de EV, solares y UPS. El...
APEC: TI piensa lateralmente para hacer un chip ac-dc con 15 mW en espera
"Este dispositivo logra el mejor equilibrio entre alta eficiencia y ruido ultra bajo al tiempo que r...
Contenido patrocinado: Analizador de espectro SIGLENT SVA1015X
El analizador de espectro SIGLENT SVA1015X es una herramienta muy potente y flexible para varias med...
Se espera que el gasto de los equipos de fabricación semi disminuya un 14% este año y crezca un 27% el próximo año
Estimulado por una desaceleración en el sector de la memoria, la desaceleración de 2019 marca el f...
Power Stamp Alliance reduce la necesidad de una CPU host para monitorear las unidades de suministro de energía y agrega un diseño de referencia
Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex y STMicroelectronics) ha creado u...
APEC: poder de SiC y herramientas eléctricas mejoradas basadas en la nube
La capacidad de búsqueda se ha mejorado, y hay un menú estilo carrusel que permite seleccionar dis...
Dengrove agrega convertidores de CC / CC que ahorran espacio de Recom
Están diseñados para aplicaciones que requieren alta densidad de potencia y alta eficiencia y tien...
Primer procesador de brazos con calificación militar para aplicaciones de alta fidelidad
LS1046A forma parte de la cartera Arm Layerscape de 64 bits de NXP, con un brazo Cortex-A72 de cuatr...