SI4124DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI4124DY-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC
Especificaciones:	SI4124DY-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	104859 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 104859 pcs

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Especificaciones de SI4124DY-T1-GE3

Número de pieza	SI4124DY-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	104859 pcs	Ficha de datos	SI4124DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	7.5 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 5.7W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	SI4124DY-T1-GE3TR SI4124DYT1GE3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3540pF @ 20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	77nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	N-Channel 40V 20.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20.5A (Tc)

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