EGP10BEHM3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	EGP10BEHM3/73
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Especificaciones:	EGP10BEHM3/73.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3102 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3102 pcs

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Especificaciones de EGP10BEHM3/73

Número de pieza	EGP10BEHM3/73	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3102 pcs	Ficha de datos	EGP10BEHM3/73.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1A
Tensión - Desglose	DO-204AL (DO-41)	Serie	Automotive, AEC-Q101
Estado RoHS	Tape & Box (TB)	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	22pF @ 4V, 1MHz	Polarización	DO-204AL, DO-41, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction	50ns	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	EGP10BEHM3/73
Descripción ampliada	Diode Standard 100V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)	configuración de diodo	5µA @ 100V
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL	Corriente - Fuga inversa a Vr	950mV @ 1A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	100V	Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 150°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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