Número de pieza | J112-D26Z | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descripción | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 152917 pcs | Ficha de datos | J112-D26Z.pdf |
Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id | 1V @ 1µA | Tensión - Breakdown (V (BR) GSS) | 35V |
Paquete del dispositivo | TO-92-3 | Serie | - |
Resistencia - RDS (on) | 50 Ohms | Potencia - Max | 625mW |
embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Otros nombres | J112-D26ZCT J112_D26ZCT J112_D26ZCT-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Tipo FET | N-Channel | Descripción detallada | JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3 |
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V | Número de pieza base | J112 |
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