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FQPF19N20

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
FQPF19N20 Image
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Descripción del producto

Número de pieza: FQPF19N20
Fabricante / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F
Especificaciones: FQPF19N20.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 45944 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 45944 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
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Especificaciones de FQPF19N20

Número de pieza FQPF19N20 Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 45944 pcs Ficha de datos FQPF19N20.pdf
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TO-220F
Serie QFET® RDS (Max) @Id, Vgs 150 mOhm @ 5.9A, 10V
La disipación de energía (máximo) 50W (Tc) embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 40nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200V Descripción detallada N-Channel 200V 11.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 11.8A (Tc)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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