FDD3510H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD3510H
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Especificaciones:	FDD3510H.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	64788 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64788 pcs

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Especificaciones de FDD3510H

Número de pieza	FDD3510H	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	64788 pcs	Ficha de datos	FDD3510H.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Paquete del dispositivo	TO-252-4L
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	80 mOhm @ 4.3A, 10V
Potencia - Max	1.3W	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Otros nombres	FDD3510HDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 40V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	18nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel, Common Drain	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.3A, 2.8A

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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