ECH8695R-TL-W

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	ECH8695R-TL-W
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Especificaciones:	ECH8695R-TL-W.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	599956 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 599956 pcs

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Especificaciones de ECH8695R-TL-W

Número de pieza	ECH8695R-TL-W	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	599956 pcs	Ficha de datos	ECH8695R-TL-W.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.3V @ 1mA	Paquete del dispositivo	SOT-28FL/ECH8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	9.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max	1.4W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Flat Lead	Otros nombres	ECH8695R-TL-WOSTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Característica de FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	24V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 11A 1.4W Surface Mount SOT-28FL/ECH8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11A

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