Semiconductores GaN
Semiconductores GaN
Los semiconductores GaN de EPC son el núcleo de la potencia inalámbrica de gran área de superficie
Los circuitos integrados de alimentación de medio puente eCa10 100 EPC2107 y 60 V EPC2108 de EPC con bootstrap FET integrado eliminan las pérdidas de recuperación inversa inducidas por el controlador de la puerta, así como la necesidad de una abrazadera lateral alta. Diseñados específicamente para aplicaciones de transferencia de energía inalámbrica resonante, estos productos permiten el diseño rápido de sistemas de uso final altamente eficientes, estableciendo el escenario para la adopción masiva de circuitos de energía inalámbricos.
Caracteristicas
- Mayor frecuencia de conmutación
- Menos pérdidas de conmutación, menor inductancia parásita y menor potencia de accionamiento
- Diseño integrado
- Mayor eficiencia, mayor densidad de potencia, menores costos de montaje
- Pequeña huella de pie
- Baja inductancia, extremadamente pequeña, troquel pasivado de montaje en superficie BGA de 1,35 mm x 1,35 mm
Aplicaciones
- Alimentación inalámbrica para 5G
- Dispositivos móviles
- Los robots
- Automatización industrial
- Equipos medicos y automotriz.